SISH625DN-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -80A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062295376
- Артикул
- SISH625DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SIS
- Fall Time:
- 10 ns
- Rise Time:
- 13 ns
Цена по запросу
(от 101,79 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SIS |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8S |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 126 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 47 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |