SISH625DN-T1-GE3, MOSFETs -30V Vds; 20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513314
- Артикул
- SISH625DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® 1212-8
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series:
- SIS
- Mounting
- SMD
Цена по запросу
(от 85,73 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series: | SIS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 10 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Technology | TrenchFET® |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 0.49 |
| Gate charge | 126nC |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -35A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8S |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power dissipation | 33W |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 126 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | P-Channel |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 11mΩ |
| Drain-source voltage | -30V |
| Pulsed drain current | -80A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 55 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 47 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.7 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7 mOhms |