SISH617DN-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -35A; Idm: -60A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070061934
- Артикул
- SISH617DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 52Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.0103Ом
Цена по запросу
(от 96,42 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.0103Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0103Ом |