SISH410DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 20V; 35A; Idm: 60A; 33W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070093148
- Артикул
- SISH410DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- SIS
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 52Вт
Цена по запросу
(от 270 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SIS |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 15 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 41 nC |
| Время нарастания | 15 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.004Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.8 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.004Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 70 A |