Моя заявка (0)

SISH410DN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SISH410DN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 35 A, 0.004 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001087124
Артикул
SISH410DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Вес, г
1
Серия
SIS
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
52Вт
Цена по запросу
(от 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор 20V Vds;+/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH

Технические параметры

Вес, г1
СерияSIS
Channel TypeN Channel
Power Dissipation52Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Время спада15 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаVishay / Siliconix
Упаковка / блокPowerPAK1212-8
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора41 nC
Время нарастания15 ns
Drain Source On State Resistance0.004Ом
Линейка ПродукцииTrenchFET
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока35А
Рассеиваемая Мощность52Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Pd - рассеивание мощности52 W
Id - непрерывный ток утечки35 A
Коммерческое обозначениеTrenchFET, PowerPAK
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPowerPAK 1212
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток4.8 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная Рабочая Температура150°C
Типичное время задержки выключения30 ns
Типичное время задержки при включении12 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток1.2 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.004Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А35
Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.70 A
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.004 Ом

Техническая документация