SISH129DN-T1-GE3, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 35 A, 0.0095 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000962380
- Артикул
- SISH129DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 3
- Channel Type
- P Channel
- Power Dissipation
- 52.1Вт
- Структура
- P-Channel
Цена по запросу
(от 176 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 3 |
| Channel Type | P Channel |
| Power Dissipation | 52.1Вт |
| Структура | P-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0095Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 52.1Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0095Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0095 Ом |