SISH114ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 35A; Idm: 60A; 25W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070069658
- Артикул
- SISH114ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 39Вт
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 83,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds; +/-20V Vgs PowerPAK 1212-8SH
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 7 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8SH-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 32 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.0062Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Pd - рассеивание мощности | 39 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 35 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET; PowerPAK |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 7.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 20 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.2 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0062Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 50 S |