Моя заявка (0)

SISH103DN-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SISH103DN-T1-GE3,Power MOSFET, P Channel, 30 V, 54 A, 0.0068 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046391041
Артикул
SISH103DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.001
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
P
Цена по запросу
(от 154 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это P-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.001
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package Type1212-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current54 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А54
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0068 Ом

Техническая документация