SISH101DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; TrenchFET®; полевой; -30В; -35А; Idm: -80А
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062308985
- Артикул
- SISH101DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Fall Time:
- 8 ns
- Rise Time:
- 10 ns
- Вес, г
- 1
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Fall Time: | 8 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8SH-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 102 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Power Dissipation (Pd) | 33W |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 32nC@ |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 3595pF@ |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 38 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 16.9A |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 44 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.2 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 408pF@15V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |