SISF06DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 30V; 81A; Idm: 190A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062230960
- Артикул
- SISF06DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Линейка Продукции
- TrenchFET Gen IV
- Количество Выводов
- 8вывод(-ов)
- Монтаж транзистора
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 120 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Изделие SISF06DN-T1-GE3 — изделие серии SISF06. Характеристики Обозначение: SISF06DN-T1-GE3 Производитель: VISHAY Единица измерения: шт
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 101А |
| Рассеиваемая Мощность | 69.4Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212-SCD |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00344Ом |