SISF04DN-T1-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067352822
- Артикул
- SISF04DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.93
- Технология:
- Si
- Вид монтажа:
- SMD/SMT
- Время спада:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 241,06 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Технические параметры
| Вес, г | 0.93 |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 6 ns |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Dual |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Производитель: | Vishay |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 40 nC |
| Время нарастания: | 21 ns |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 2 Channel |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 69.4 W |
| Id - непрерывный ток утечки: | 108 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 12 V, + 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.3 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 115 S |