SISF04DN-T1-GE3, MOSFETs N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048047400
- Артикул
- SISF04DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Структура
- N-Channel
- Технология:
- Si
Цена по запросу
(от 140 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CHANNEL 30V(S1-S2) PowerPAK 1212-8F
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Структура | N-Channel |
| Технология: | Si |
| Вид монтажа: | SMD/SMT |
| Время спада: | 6 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта: | MOSFET |
| Конфигурация: | Dual |
| Подкатегория: | MOSFETs |
| Power Dissipation N Channel | 69.4Вт |
| Power Dissipation P Channel | 69.4Вт |
| Производитель: | Vishay |
| Торговая марка: | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок: | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим: | Enhancement |
| Тип транзистора: | 2 N-Channel |
| Qg - заряд затвора: | 40 nC |
| Время нарастания: | 21 ns |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Категория продукта: | МОП-транзистор |
| Количество каналов: | 2 Channel |
| Непрерывный Ток Стока | 108А |
| Рассеиваемая Мощность | 69.4Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.003Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.003Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Полярность транзистора: | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности: | 69.4 W |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Id - непрерывный ток утечки: | 108 A |
| Коммерческое обозначение: | TrenchFET |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212-SCD |
| Размер фабричной упаковки: | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток: | - 12 V, + 16 V |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 108А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 108А |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток: | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток: | 30 V |
| Минимальная рабочая температура: | - 55 C |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 30В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 30В |
| Максимальная рабочая температура: | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения: | 30 ns |
| Типичное время задержки при включении: | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток : | 2.3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.003Ом |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин.: | 115 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |