SISF02DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 25V; 60A; Idm: 140A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062946386
- Артикул
- SISF02DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation N Channel
- 69.4Вт
- Power Dissipation P Channel
- 69.4Вт
Цена по запросу
(от 130 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Двуxканальный МОП-транзистор с общим стоком на 25 В (S1-S2). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким сопротивлением от источника к источнику
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation N Channel | 69.4Вт |
| Power Dissipation P Channel | 69.4Вт |
| Линейка Продукции | TrenchFET Series |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 60А |
| Рассеиваемая Мощность | 69.4Вт |
| Drain Source On State Resistance N Channel | 0.0027Ом |
| Drain Source On State Resistance P Channel | 0.0027Ом |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Непрерывный Ток Стока, N Канал | 60А |
| Непрерывный Ток Стока, P Канал | 60А |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Напряжение Истока-стока Vds, N Канал | 25В |
| Напряжение Истока-стока Vds, P Канал | 25В |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0027Ом |