Моя заявка (0)

SISD5300DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 198 A, 710 µohm, PowerPAK 1212-F, Surface Mount

SISD5300DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 30 V, 198 A, 710 µohm, PowerPAK 1212-F, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8046434842
Артикул
SISD5300DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.074
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 299 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор Vishay - это N-канальный МОП-транзистор, и транзистор в нем изготовлен из материала, известного как кремний.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.074
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package Type1212-F
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSilicon
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current198 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А198
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация