SISC06DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET + Schottky; TrenchFET®; unipolar; 30V; 40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8061886933
- Артикул
- SISC06DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Серия
- SIS
- Технология
- Si
- Вид монтажа
- SMD/SMT
Цена по запросу
(от 97 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Серия | SIS |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 14 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 38.5 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 46.3 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 23 ns |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |