SISB46DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET x2; TrenchFET®; unipolar; 40V; 27.3A; Idm: 70A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8067506949
- Артикул
- SISB46DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 1
- Power - Max
- 23W
- Configuration
- 2 N-Channel(Dual)
Цена по запросу
(от 68 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Матрица Mosfet 40V 34A (Tc) мощностью 23 Вт для поверxностного монтажа PowerPak® 1212-8 Dual
Технические параметры
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 1 |
| Power - Max | 23W |
| Configuration | 2 N-Channel(Dual) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2.2V @ 250µA |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 11.71mOhm @ 5A, 10V |
| Supplier Device Package | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 4.5V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1100pF @ 20V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 34A(Tc) |