SISA96DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 12A; Idm: 65A; 17W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070119443
- Артикул
- SISA96DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- MSL
- MSL 1-Unlimited
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 25 ns
- Rise Time:
- 47 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| MSL | MSL 1-Unlimited |
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 25 ns |
| Rise Time: | 47 ns |
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Range | TrenchFET |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 26.5W |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 31 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Case Style | PowerPAK 1212 |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Pd - Power Dissipation: | 26.5 W |
| Drain Source Voltage Vds | 30V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -16 V, +20 V |
| Continuous Drain Current Id | 16A |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 16 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 70 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0073ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 2.2V |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 7.3 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |