SISA24DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070063486
- Артикул
- SISA24DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SIS
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 115,21 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 25V Vds 60A Id 17.2nC Qg Typ.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SIS |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 17 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 26nC@4.5V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.65nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 60A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 55 nC |
| Время нарастания | 42 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 60 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, - 16 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 1.15 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 25 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 17 ns |
| Типичное время задержки при включении | 18 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 75 S |