Моя заявка (0)

SISA18BDN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SISA18BDN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 60 A, 0.0055 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8013680723
Артикул
SISA18BDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.001
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8PT
Цена по запросу
(от 133 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Линейка МОП-транзисторов Vishay siliconix включает в себя широкий спектр передовыx теxнологий. МОП-транзисторы - это транзисторные устройства, управляемые конденсатором.

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.001
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8PT
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current60 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0055 Ом

Техническая документация