SISA14DN-T1-GE3, MOSFETs For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005513310
- Артикул
- SISA14DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.11
- Серия
- SIS
- Структура
- MOSFET
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 94,42 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор For New Design See: 78-SISHA14DN-T1-GE3
Технические параметры
| Вес, г | 0.11 |
| Серия | SIS |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 8 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 3.57W;26.5W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 29nC@10V |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.45nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 20A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 29 nC |
| Время нарастания | 8 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 26.5 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 4.25 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 18 ns |
| Типичное время задержки при включении | 9 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 65 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 26.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 5.1mΩ@10A, 10V |