Моя заявка (0)

SISA14BDN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W

SISA14BDN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 58A; Idm: 130A; 29W

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025882198
Артикул
SISA14BDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8PT
Цена по запросу
(от 80,48 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay имеет ток стока 72 А. Он используется для постоянного/пост. тока высокой плотности, синxронного выпрямления, VRMS и встроенного постоянного /пост. тока, защиты аккумулятора

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г1
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8PT
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
ОсобенностиTrenchFET
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current72 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А58
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт29
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация