SISA12ADN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 25А; Idm: 80А; 18Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566012
- Артикул
- SISA12ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.18
- Серия
- SIS
- Корпус
- PowerPAKВR 1212-8
- Структура
- MOSFET
Цена по запросу
(от 56,90 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.18 |
| Серия | SIS |
| Корпус | PowerPAKВR 1212-8 |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay / Siliconix |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 45 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 28 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 3.2 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 10 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 51 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |