SISA10DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025881960
- Артикул
- SISA10DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Структура
- MOSFET
- Power Dissipation (Pd)
- 3.6W;39W
- Особенности
- -
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Структура | MOSFET |
| Power Dissipation (Pd) | 3.6W;39W |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 51nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.425nF@15V |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 3.7mΩ@10A, 10V |