Моя заявка (0)

SISA10BDN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SISA10BDN-T1-GE3, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 104 A, 0.0023 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8012539411
Артикул
SISA10BDN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Pin Count
8
Вес, г
0.001
Channel Type
N
Package Type
PowerPAK 1212-8PT
Цена по запросу
(от 179 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

N-канальный МОП-транзистор Vishay имеет ток стока 104 А. Он используется для постоянного/пост. тока высокой плотности, синxронного выпрямления, VRMS и встроенного постоянного /пост. тока, защиты аккумулятора

Технические параметры

Pin Count8
Вес, г0.001
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8PT
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Continuous Drain Current104 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А104
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0023 Ом

Техническая документация