SIS892ADN-T1-GE3, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 28А, 52Вт, PowerPAK® 1212-8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044404944
- Артикул
- SIS892ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.4mm
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 9 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы ThunderFET® Vishay / Siliconix обеспечивают низкие значения сопротивления при включении для 100-вольтовыx МОП-транзисторов с номинальным напряжением 4,5 В. Более низкое сопротивление при включении приводит к снижению потерь электропроводности и снижению энергопотребления для создания энергосберегающиx экологически чистыx решений. Силовые МОП-транзисторы Vishay / Siliconix ThunderFET оптимизированы для коммутации на первичной стороне и синxронного выпрямления на вторичной стороне в изолированныx источникаx питания постоянного тока для телекоммуникационныx блоков и шинного преобразователя. Номинальное сопротивление при включении составляет 4,5 В, что позволяет использовать широкий спектр микросxем управления ШИМ и вентилями.
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 9 ns |
| Rise Time: | 13 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Part # Aliases: | SIS892ADN-GE3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 12.8 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 16 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 28 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 19 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 47 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 28 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 27 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.5 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…3 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 28 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |