SIS890ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 19.8A; Idm: 40A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070054253
- Артикул
- SIS890ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 123,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 100-вольтовый (D-S) МОП-транзистор Vishay. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Transistor Material | Si |
| Квалификация | - |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0255 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.021Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 24.7 A |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 24.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.021Ом |