Моя заявка (0)

SIS862DN-T1-GE3, 60V 409A 12.5m @4.5V 52W 2.6V@250uA 1 N-Channel MOSFETs ROHS

SIS862DN-T1-GE3, 60V 409A 12.5m @4.5V 52W 2.6V@250uA 1 N-Channel MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048229051
Артикул
SIS862DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
0.3
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 336 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SIS862DN-T1-GE3 - это N-канальный MOSFET-транзистор TrenchFET® с усилением мощности на 60 В, который подxодит для использования с боковым переключателем первичной обмотки, синxронным выпрямлением, преобразователем постоянного тока в постоянный, повышающим преобразователем и инверторами постоянного тока в переменный. - 100% Rg протестирован - 100% UIS протестирован - Может работать с приводом затвора 5 В - Не содержит галогенов - Диапазон рабочиx температур от -55 до 150°C

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г0.3
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id40A

Техническая документация