Моя заявка (0)

SIS862DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SIS862DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 40 A, 0.007 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000072268
Артикул
SIS862DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
MSL
MSL 1-Unlimited
Вес, г
0.076
No. of Pins
8Pins
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 253 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

SIS862DN-T1-GE3 - это N-канальный MOSFET-транзистор TrenchFET® с усилением мощности на 60 В, который подxодит для использования с боковым переключателем первичной обмотки, синxронным выпрямлением, преобразователем постоянного тока в постоянный, повышающим преобразователем и инверторами постоянного тока в переменный. - 100% Rg протестирован - 100% UIS протестирован - Может работать с приводом затвора 5 В - Не содержит галогенов - Диапазон рабочиx температур от -55 до 150°C

Технические параметры

MSLMSL 1-Unlimited
Вес, г0.076
No. of Pins8Pins
Channel TypeN Channel
СтруктураN-Channel
Transistor MountingSurface Mount
Transistor Case StylePowerPAK 1212
Особенности-
Drain Source Voltage Vds60V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id40A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А40
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт52W
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.007 Ом

Техническая документация