SIS862ADN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 41.6A; Idm: 100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8033684024
- Артикул
- SIS862ADN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.15mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 170,65 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный 60-вольтовый (D-S) МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким коэффициентом полезного действия RDS x Qg (FOM), настроенный на самый низкий уровень RDS x Qoss, который не определен
Технические параметры
| Width | 3.15mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | TrenchFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 39 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19.8 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 11 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 52 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 41.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |