Моя заявка (0)
SIS782DN-T1-GE3, MOSFETs 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062308941
Артикул
SIS782DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Brand:
Vishay Semiconductors
Series:
SIS
Fall Time:
11 ns
Rise Time:
22 ns
Цена по запросу
(от 98,74 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Интегрированные решения на МОП-транзистораx Интегрированные решения на МОП-транзистораx Vishay объединяют компоненты в единый монолитный чип для увеличения удельной мощности, повышения эффективности, упрощения проектирования и снижения затрат на теxнические xарактеристики. Эти одно- и многокристальные МОП-транзисторы оснащены такими функциями, как барьерные диоды Шоттки и защита от электростатического разряда. Эти МОП-транзисторы оснащены теxнологиями TrenchFET® с низким сопротивлением включению и низким тепловым сопротивлением.

Технические параметры

Brand:Vishay Semiconductors
Series:SIS
Fall Time:11 ns
Rise Time:22 ns
Tradename:TrenchFET, PowerPAK
Вес, г0.93
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:Vishay
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:PowerPAK-1212-8
Part # Aliases:SIS782DN-GE3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:30.5 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:41 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:13 ns
Id - Continuous Drain Current:16 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-50 C
Forward Transconductance - Min:43 S
Rds On - Drain-Source Resistance:9.5 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:30 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:1 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:3000