SIS590DN-T1-GE3, Dual MOSFET, N and P Channel, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8012527411
- Артикул
- SIS590DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.5
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 213 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Комбинированный N- и P-канальный МОП-транзистор Vishay на 100 В. Протестирован на 100% Rg и UIS
Технические параметры
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.5 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N, P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 Dual |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5 V, 2.5 V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.167 O, 0.251 O |
| Maximum Continuous Drain Current | 4 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.197 Ом |