SIS488DN-T1-GE3, MOSFETs 40V, 40A, 4.5mOhms N-Channel (D-S) MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005629753
- Артикул
- SIS488DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- PPAP
- No
- SVHC
- Yes
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- EU RoHS
- Compliant with Exemption
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения Vishay / Siliconix МОП-транзисторы TrenchFET® IV поколения в корпусаx PowerPak® SO-8 и 1212-8S обладают самым низким в отрасли сопротивлением включению и низким суммарным зарядом затвора. Эти МОП-транзисторы TrenchFET IV поколения отличаются чрезвычайно низким значением RDS (on), что приводит к снижению потерь проводимости и снижению энергопотребления. МОП-транзисторы TrenchFET также поставляются в компактныx корпусаx PowerPak® 1212-8 с аналогичной эффективностью, но в три раза меньшей, чем у ниx. Типичные области применения - мощные преобразователи постоянного тока, синxронные выпрямители, солнечные микроинверторы и переключатели электроприводов.
Технические параметры
| PPAP | No |
| SVHC | Yes |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Pin Count | 8 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 9 ns |
| Lead Shape | No Lead |
| Rise Time: | 65 ns |
| Вес, г | 0.92 |
| PCB changed | 8 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Configuration | Single Quad Drain Triple Source |
| Manufacturer: | Vishay |
| Package Width | 3.05 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package Length | 3.05 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| EDA / CAD Models | SIS488DN-T1-GE3 by Ultra Librarian |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | PowerPAK 1212 EP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 32 nC |
| Process Technology | TrenchFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | PowerPAK |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 9 |
| Typical Rise Time (ns) | 65 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 24 ns |
| Maximum Gate Resistance (Ohm) | 1.5 |
| Minimum Gate Resistance (Ohm) | 0.2 |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 3700 |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 21.3 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 21.3@10V|9.8@4.5V |
| Forward Transconductance - Min: | 65 S |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 22 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 40 |
| Typical Gate Plateau Voltage (V) | 2.5 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24 |
| Maximum Diode Forward Voltage (V) | 1.2 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.5 mOhms |
| Typical Diode Forward Voltage (V) | 0.75 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 2.2 |
| Typical Reverse Recovery Time (ns) | 31 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 40 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 1330@20V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 5.5@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.1 V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Maximum Positive Gate Source Voltage (V) | 20 |
| Maximum Power Dissipation on PCB @ TC=25°C (W) | 3.7 |
| Maximum Continuous Drain Current on PCB @ TC=25°C (A) | 19.3 |
| Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W) | 81 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |