SIS476DN-T1-GE3, Trans MOSFET N-CH 30V 40A 8-Pin PowerPAK 1212 EP T/R
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001017346
- Артикул
- SIS476DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SIS
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 110 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SIS |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 10 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 77 nC |
| Время нарастания | 17 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 52 W |
| Другие названия товара № | SIS476DN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 40 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Крутизна характеристики, S | 105 |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 16 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 2.05 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 25 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 105 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |