Моя заявка (0)

SIS468DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

SIS468DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 80 V, 30 A, 0.016 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8438270408
Артикул
SIS468DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
3.4mm
Series
ThunderFET
Pin Count
8
Вес, г
0.12
Цена по запросу
(от 217 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width3.4mm
SeriesThunderFET
Pin Count8
Вес, г0.12
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation52 W
Typical Gate Charge @ Vgs18.1 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance32 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В80
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А30
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.016 Ом

Техническая документация