Моя заявка (0)

SIS468DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 29.2A; Idm: 60A

SIS468DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 29.2A; Idm: 60A

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8070061913
Артикул
SIS468DN-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
3.4mm
Series
ThunderFET
Pin Count
8
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 137,84 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width3.4mm
SeriesThunderFET
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePowerPAK 1212-8
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation52 W
Typical Gate Charge @ Vgs18.1 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage80 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage1.5V
Maximum Drain Source Resistance32 mΩ
Maximum Continuous Drain Current30 A

Техническая документация