SIS447DN-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -18A; Idm: -100A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037704463
- Артикул
- SIS447DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Корпус
- PowerPAK 1212
- Структура
- N-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 52W
Цена по запросу
(от 82,63 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Корпус | PowerPAK 1212 |
| Структура | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 52W |
| Особенности | TrenchFET |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 181nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 5.59nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 18A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.2V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 7.1mΩ@20A, 10V |