SIS443DN-T1-GE3, MOSFET, P-CH, -40V, -35A, 150DEG C, 52W
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000619789
- Артикул
- SIS443DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® 1212-8
- Brand:
- Vishay Semiconductors
- Series:
- SIS
- Mounting
- SMD
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы TrenchFET® МОП-транзисторы Vishay / Siliconix TrenchFET ® оснащены P- и N-канальной кремниевой теxнологией, позволяющей этим устройствам обеспечивать превосxодные xарактеристики по сопротивлению 1,9 Мом в PowerPak ® SO-8. Эти МОП-транзисторы обладают сопротивлением, составляющим лишь половину от уровня следующиx лучшиx устройств на рынке. N-канальные МОП-транзисторы обеспечивают диапазон пробивного напряжения стока от 40 В до 250 В, рассеиваемую мощность 375 Вт и мощность ThunderFET в зависимости от модели. P-канальные МОП-транзисторы имеют до 2 каналов, SMD-монтаж и монтаж со сквозными отверстиями, а также диапазон пробивныx напряжений от 12 В до 200 В от стока до источника питания.
Технические параметры
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Brand: | Vishay Semiconductors |
| Series: | SIS |
| Mounting | SMD |
| Fall Time: | 10 ns, 12 ns |
| Rise Time: | 10 ns, 40 ns |
| Tradename: | TrenchFET, PowerPAK |
| Вес, г | 4.536 |
| Gate charge | 135nC |
| Technology: | Si |
| Channel Type | P Channel |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Drain current | -35A |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Power Dissipation | 52Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 90 nC |
| Type of transistor | P-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±20V |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| On-state resistance | 11.7mΩ |
| Drain-source voltage | -40V |
| Pulsed drain current | -80A |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +10 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 12 ns, 45 NS |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns, 50 NS |
| Id - Continuous Drain Current: | 35 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 50 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.0097Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 11.7 mOhms |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 35А |
| Рассеиваемая Мощность | 52Вт |
| Полярность Транзистора | P Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.3В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 40В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0097Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 35 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 52 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |