Моя заявка (0)

P-Channel MOSFET, 22 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3

P-Channel MOSFET, 22 A, 20 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS415DNT-T1-GE3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8330358062
Артикул
SIS415DNT-T1-GE3
Бренд
VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
Width
3.4mm
Pin Count
8
Вес, г
7
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 20 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.

Технические параметры

Width3.4mm
Pin Count8
Вес, г7
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypePowerPAK 1212-8
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураP-Channel
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation52 W
Typical Gate Charge @ Vgs117 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-12 V, +12 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.4V
Maximum Drain Source Resistance9.5 mΩ
Maximum Continuous Drain Current22 A
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А22
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация