SIS415DNT-T1-GE3, Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -20V; -35A; Idm: -80A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062327762
- Артикул
- SIS415DNT-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Width
- 3.4mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Компания Vishay предлагает один из самыx широкиx в отрасли ассортиментов полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Width | 3.4mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 52 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 117 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 22 A |