SIS412DN-T1-GE3, Транзистор, 2N-MOSFET, 30В, 12А, 15.6Вт, 0.024Ом [PowerPAK 1212-8.]
![SIS412DN-T1-GE3, Транзистор, 2N-MOSFET, 30В, 12А, 15.6Вт, 0.024Ом [PowerPAK 1212-8.]](https://static.epl-electro.ru/lib/527/DOC006527086.jpg)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 9000283391
- Артикул
- SIS412DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.2
- Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В
- ±20В
- Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)
- 0.02 Ом
Цена по запросу
(от 24,80 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 12А; Idm: 30А; 10Вт
Технические параметры
| Вес, г | 0.2 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.02 Ом |