SIS407DN-T1-GE3, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -20В; -25А; Idm: -40А; 21Вт
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017566052
- Артикул
- SIS407DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 0.07
- Длина
- 3.3 mm
- Серия
- SIS
- Высота
- 1.04 mm
Цена по запросу
(от 84,92 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор -20V Vds 8V Vgs PowerPAK 1212-8
Технические параметры
| Вес, г | 0.07 |
| Длина | 3.3 mm |
| Серия | SIS |
| Высота | 1.04 mm |
| Ширина | 3.3 mm |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 38 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 3.6W;33W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 93.8nC@8V |
| Торговая марка | Vishay Semiconductors |
| Упаковка / блок | PowerPAK-1212-8 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.76nF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 25A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 P-Channel |
| Qg - заряд затвора | 38 nC |
| Время нарастания | 28 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | P-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 33 W |
| Другие названия товара № | SIS407DN-GE3 |
| Id - непрерывный ток утечки | 25 A |
| Коммерческое обозначение | TrenchFET, PowerPAK |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 8 V, + 8 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 9.5 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 92 ns |
| Типичное время задержки при включении | 23 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 400 mV |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 25 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 60 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.5mΩ@15.3A, 4.5V |