SiS407DN-HXY, 20V 30A 15m-@4.5V 18W 1V@250uA P Channel 2800pF DFN-8L(3x3) MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015919822
- Артикул
- SiS407DN-HXY
- Бренд
- HXY MOSFET
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- P-Channel
- Power Dissipation (Pd)
- 18W
Цена по запросу
(от 59 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 30 А 15mOhm@4.5V 18 Вт 1 В при 250 мкА P-канальные полевые транзисторы DFN-8L(3x3) ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | P-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 18W |
| Особенности | - |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.8nF |
| Continuous Drain Current (Id) | 30A |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 18 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 15mΩ@4.5V |