SIS406DN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025278456
- Артикул
- SIS406DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Case
- PowerPAK® 1212-8
- Mounting
- SMD
- Technology
- TrenchFET®
- Вес, г
- 1
Цена по запросу
(от 136 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Case | PowerPAK® 1212-8 |
| Mounting | SMD |
| Technology | TrenchFET® |
| Вес, г | 1 |
| Gate charge | 28nC |
| Manufacturer | VISHAY |
| Polarisation | unipolar |
| Drain current | 12.2A |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | reel, tape |
| Power dissipation | 2.3W |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Gate-source voltage | ±25V |
| On-state resistance | 14.5mΩ |
| Drain-source voltage | 30V |
| Pulsed drain current | 50A |
| Особенности | - |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 2.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0088 Ом |