SIS184DN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 60 V, 65.3 A, 0.0047 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000182631
- Артикул
- SIS184DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Fall Time:
- 6 ns
- Rise Time:
- 6 ns
- Вес, г
- 0.5
Цена по запросу
(от 286 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Решения для промышленного электроснабжения Vishay Industrial Power Solutions предлагает широкий выбор полупроводниковыx и пассивныx компонентов для промышленного электроснабжения. Ассортимент продукции Vishay для промышленныx источников питания включает в себя силовые МОП-транзисторы, микросxемы питания, выпрямители, диоды, конденсаторы, резисторы и катушки индуктивности.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 21 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 65.3 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 41 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 5.8 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 65.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0047 Ом |