SIS178LDN-T1-GE3,Power MOSFET, N Channel, 70 V, 45.3 A, 0.0078 ohm, PowerPAK 1212, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007311773
- Артикул
- SIS178LDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 196 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiS178LDN N-канальные МОП-транзисторы 70 В (D-S) N-канальные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiS178LDN напряжением 70 В (D-S) выпускаются в одном корпусе PowerPak® 1212-8 и реализуют теxнологию TrenchFET® Gen IV. МОП-транзисторы SiS178LDN обеспечивают очень низкий коэффициент полезного действия (FOM). N-канальные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiS178LDN напряжением 70 В (D-S) предназначены для синxронного выпрямления, коммутации на стороне первичной обмотки, преобразования постоянного тока в постоянный, управления электроприводом и переключения нагрузки.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 0.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | PowerPAK-1212-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 18.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 39 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 70 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 45.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 40 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0095 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 45.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 70 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 70 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 45.3 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0078 Ом |