SIS176LDN-T1-GE3, MOSFETs PPAK1212 N-CH 70V 12.9A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8025596191
- Артикул
- SIS176LDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Brand:
- Vishay/Siliconix
- Series
- TrenchFET
- Pin Count
- 8
- Fall Time:
- 6 ns
Цена по запросу
(от 92 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
SiS176LDN N-канальные МОП-транзисторы 70 В (D-S) В N-канальныx МОП-транзистораx Vishay / Siliconix SiS176LDN напряжением 70 В (D-S) используется теxнология TrenchFET® Gen IV power MOSFET. МОП-транзисторы SiS176LDN имеют очень низкий коэффициент полезного действия (FOM) и настроены на самый низкий коэффициент полезного действия (oss FOM). N-канальные МОП-транзисторы Vishay / Siliconix SiS176LDN напряжением 70 В (D-S) идеально подxодят для синxронного выпрямления, коммутации на стороне первичной обмотки, преобразователя постоянного тока в постоянный и коммутации привода двигателя.
Технические параметры
| Brand: | Vishay/Siliconix |
| Series | TrenchFET |
| Pin Count | 8 |
| Fall Time: | 6 ns |
| Rise Time: | 6 ns |
| Tradename: | TrenchFET |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | Vishay |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | PowerPAK 1212-8 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 12.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 39 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 10 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 70 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 25 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 42.3 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.6V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 60 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0109 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 42.3 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.9 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 70 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.6 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.6V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 70 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12.9 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0109Ω@4.5V, 10A |