SIS128LDN-T1-GE3, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062308840
- Артикул
- SIS128LDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 39Вт
- Drain Source On State Resistance
- 0.013Ом
Цена по запросу
(от 140,07 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный МОП-транзистор на 80 В (D-S). Мощный МОП-транзистор TrenchFET® поколения IV с очень низким коэффициентом полезного действия RDS x Qg (FOM), настроенный на самый низкий уровень RDS x Qoss.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 39Вт |
| Drain Source On State Resistance | 0.013Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 33.7А |
| Рассеиваемая Мощность | 39Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.013Ом |