Dual Silicon N-Channel MOSFET, 8.8 A, 100 V, 8-Pin PowerPAK 1212-8 SIS112LDN-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038194864
- Артикул
- SIS112LDN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 144,58 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовой МОП-транзистор Vishay N channel TrenchFET поколения 4 - это МОП-транзистор с одной конфигурацией. Он не содержит свинца и галогенов и используется в качестве основного бокового выключателя, переключателя привода двигателя и повышающего преобразователя.
Технические параметры
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | PowerPAK 1212-8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Silicon |
| Особенности | полевая сборка |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Maximum Continuous Drain Current | 8.8 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.8 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |