SIS108DN-T1-GE3, Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 80V; 14.7A; Idm: 30A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8070056502
- Артикул
- SIS108DN-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 24Вт
- Power Dissipation (Pd)
- 30W
Цена по запросу
(от 121,59 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 24Вт |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 7.1nC@10V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 545pF@40V |
| Continuous Drain Current (Id) | 6.7A |
| Drain Source On State Resistance | 0.028Ом |
| Линейка Продукции | TrenchFET Gen IV |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 9pF@40V |
| Непрерывный Ток Стока | 16А |
| Рассеиваемая Мощность | 24Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 80В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PowerPAK 1212 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.028Ом |