SIRS Type N-Channel MOSFET, 265 A, 80 V Enhancement, 8-Pin SO-8 SIRS5800DP-T1-GE3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059290906
- Артикул
- SIRS5800DP-T1-GE3
- Бренд
- VISHAY INTERTECHNOLOGY INC.
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 8Pins
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- SO-8
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Минимальный заказ: 3000 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 8Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | SO-8 |
| Product Range | TrenchFET Gen V Series |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Mounting | Surface Mount |
| Transistor Case Style | PowerPAK SO-8S |
| Особенности | Enhancement Mode |
| Drain Source Voltage Vds | 80V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 265A |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 265 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |